全球第三代半导体技术正值高速发展阶段，氮化镓（GaN）技术的进步在其中尤为引人注目，并引发了全球科技巨头之间的激烈角逐。在这样的技术革新背景下，中国在该领域的领军企业英诺赛科与美国宜普（EPC）之间的专利争端成为市场的焦点。
全球第三代半导体技术正值高速发展阶段，氮化镓（GaN）技术的进步在其中尤为引人注目，并引发了全球科技巨头之间的激烈角逐。在这样的技术革新背景下，中国在该领域的领军企业英诺赛科与美国宜普（EPC）之间的专利争端成为市场的焦点。
据最新消息，英诺赛科于11月8日晚间发表声明称，美国国际贸易委员会（ITC）于2024年11月7日发布的337调查终裁决定证实，英诺赛科的客户将其产品进口到美国的合法性不受英诺赛科和宜普公司（EPC）之间正在进行的专利纠纷的影响。
据悉，EPC公司早在2023年5月便向美国国际贸易委员会（ITC）提起了诉讼，指控英诺赛科侵犯了其四项关键的氮化镓功率半导体器件专利（专利编号分别为294、508、347和335）。截至目前，EPC已向ITC撤销两项专利主张（347号和335号），而508号专利亦在今年7月被美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科不存在侵权行为。
同时，英诺赛科早前已向美国专利商标局（USPTAB）针对EPC发起了一项针对294号专利的多方复审程序，以四个不同的理由质疑294号专利的所有权利要求，且英诺赛科的无效论点获得美国专利商标局三位法官的一致认同。美国专利商标局认为：“英诺赛科很有可能在其针对EPC专利的无效请求中获得胜诉。”
然而，美国专利商标局针对294号专利的多方复审无效审理需至2025年3月才能获得最终结果。在此期间，对于此次ITC的裁定结果，英诺赛科认为讨论对无效的专利权利要求是否存在侵权是没有意义的。
此外，英诺赛科还指出，根据美国法律规定，有限排除令并不禁止英诺赛科的客户将使用被指控芯片的终端产品进口到美国市场。此外，由于终裁决定澄清了“补偿GaN层”这一权利要求术语的含义，而这正是双方围绕294号专利争议的核心，因此也为英诺赛科提供了明确的规避设计指导，通过避免使用“补偿GaN层”这一技术特征，就可以实现对294号专利的规避。据悉，英诺赛科目前已经完成了规避设计方案，并将很快发布规避设计后的新产品。
综上可见，EPC诉讼将不会对英诺赛科的客户带来不利影响。同时，英诺赛科亦表示将继续通过法院上诉程序和美国专利商标局的无效程序来推动解决与EPC的纠纷，并有信心取得最终的完全胜利。
近年来，英诺赛科的发展势头迅猛，在短短几年内迅速攀升至全球氮化镓行业的顶峰。据悉,按折算氮化镓分立器件出货量计,2023年，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市场份额高达42.4%。
行业人士指出，在氮化镓这一突破性且具有颠覆性的行业中，新兴的创新企业自然会对老牌企业构成挑战。面对新兴力量的崛起，传统企业往往会通过专利争议来应对这种威胁。英诺赛科作为目前全球唯一能够实现氮化镓技术大规模量产的公司，应对专利诉讼持有积极乐观的态度并进行妥善应对。