“截至2024年半年度末，公司累计出货超过1940个反应腔，预计2024年全年出货超过1000个反应腔，将创历史新高。”9月25日，拓荆科技(688072)董秘赵曦告诉证券时报记者，截至2024年第二季度末，拓荆科技发出商品余额31.62亿元，较2023年末发出商品余额19.34亿元增长63.50%，为后续的收入增长奠定良好基础。目前，拓荆科技的在手订单充足，未来业绩增长具备坚实的基础。
“截至2024年半年度末，公司累计出货超过1940个反应腔，预计2024年全年出货超过1000个反应腔，将创历史新高。”9月25日，拓荆科技(688072)董秘赵曦告诉证券时报记者，截至2024年第二季度末，拓荆科技发出商品余额31.62亿元，较2023年末发出商品余额19.34亿元增长63.50%，为后续的收入增长奠定良好基础。目前，拓荆科技的在手订单充足，未来业绩增长具备坚实的基础。
拓荆科技是国内量产型PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体增强化学气相沉积）、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜沉积设备和混合键合设备的领军企业。拓荆科技目前已经形成半导体薄膜沉积设备和混合键合设备两个产品系列。拓荆科技聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。
拓荆科技主打产品PECVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大量产规模；在ALD设备方面，拓荆科技PE-ALD SiO2、SiN等薄膜均已实现产业化应用，并不断扩大量产规模，Thermal-ALD设备已实现产业化应用，并持续获得订单，同时有多种不同薄膜工艺应用在不同客户端验证；沟槽填充设备SACVD和HDPCVD已实现批量出货，持续扩大量产规模；新推出的超高深宽比沟槽填充CVD设备已实现产业化应用。目前拓荆科技沟槽填充系列产品可以满足不同芯片技术节点对不同沟槽填充的技术需求。截至目前，拓荆科技的薄膜沉积设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
“在混合键合设备方面，拓荆科技对晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对晶圆键合表面预处理设备进行持续优化升级，拓展了市场应用。此外，拓荆科技自主研发了键合套准精度量测产品已获得客户订单，并积极推进芯片对晶圆混合键合设备的研发。”据赵曦介绍。
据了解，拓荆科技近年来持续突破核心技术，推进各系列产品的迭代升级与产业化应用，产品市场竞争力持续增强，经营业绩保持较高速度的增长，2023年度，拓荆科技营业收入达到27.05亿元，同比增长59%，2018年至2023年复合增长率达到107%。
值得一提的是，2024年上半年，拓荆科技研发投入金额达到3.14亿元，同比增加50%，研发投入占营业收入比例高达24.81%，多年来的研发投入占营业收入的比例均在20%以上。截至2024年半年度末，拓荆科技研发人员数量达到506人，同比增加102人，研发人员数量占拓荆科技总人数的比例为40.38%。
2024年上半年，拓荆科技不断拓展新产品及新工艺：首台PECVD Bianca工艺设备通过客户验证，实现了产业化应用，超过25个PECVD Bianca工艺设备反应腔获得订单；首台高深宽比沟槽填充CVD产品通过客户验证，与超高深宽比沟槽填充CVD设备相关的反应腔累计出货超过15个；键合套准精度量测产品Crux 300已获得客户订单；两款新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和两款新型反应腔（pX和Supra-D）持续获得客户订单并出货至多个客户端，累计超过180个新型反应腔（pX和Supra-D）获得客户订单，超过130个反应腔出货至客户端验证。
“未来，拓荆科技将继续不断加大研发力度，拓展新产品、新工艺，完善产业布局，推进公司高质量发展。”赵曦表示。